沉积速率是指从靶材上溅射出来的材料，在单位时间内沉积到基片上的膜层厚度，该速率与溅射率成正比。有下列关系式：qt=CIh式中：qt—表示沉积速率；C—表征溅射装置特性的常数；I—表示离子流；h—表示溅射速率。由此式可见，当溅射装置一定（即C为确定值，这个是溅射设备的固定参数，在设计之初，一般由靶基距等关键参数决定），又选定了工作气体后，提高沉积速率的最好法是提高离子流I。磁控溅射法成膜速率正比于靶功率。决定沉积速率的因素有：刻蚀区的功率密度，刻蚀区面积，靶—基距，靶材，气体压强，气体成分等。上面列出的几个参数大致上是按重要性排列的，但其中有些参数之间有相互影响，如压强、功率密度及刻蚀区面积等。此外靶的热学性能与机械特性等也是限制最大溅射速率的因素。
