在半导体制作工艺中，电化学电镀(Electro Chemical Plating，简称ECP)制作工艺属于金属化制作工艺的其中一阶段，主要是使用电流以提供电子将金属离子转换成金属原子，并于某一界面的金属薄膜沉积的制作工艺，通常是以物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,简称PVD)将铜种层增长为铜金属层。
电化学电镀制作工艺主要包括电镀(Plating Cell)、晶片斜边清洗(Edge Bevel Remove，EBR)及回火(Anneal)等制作工艺所组成；其中，晶片斜边清除(EBR)主要是将晶片边缘残余的铜通过例如是过氧化氢(H2O2)与硫酸(H2SO4)的化学调剂进行清洗，以避免晶片边缘残余的铜在而后的化学机械研磨过程中剥离而伤害金属表面，影响后续制作工艺，故必须通过晶片斜边清洗(EBR)制作工艺进行残余铜去除的动作。
