深圳市光科全息技术有限公司是2015-06-05在广东省深圳市宝安区注册成立的有限责任公司，注册地址位于深圳市南山区粤海街道粤兴三道2号深圳虚拟大学园产业化综合楼A505、A506、A507。
深圳市光科全息技术有限公司的统一社会信用代码/注册号是91440300342697485B，企业法人郭滨刚，目前企业处于开业状态。
深圳市光科全息技术有限公司的经营范围是：光子晶体材料的研发、销售和应用；光子晶体材料的相关产品的开发和销售；光学薄膜、功能薄膜、胶粘薄膜、透明导电薄膜、高分子薄膜、新能源薄膜、电子辅料、光学模组、保护膜、护眼薄膜的研发及销售；光学薄膜相关设备、仪器的研发及销售；健康光源、LED发光芯片、LED发光器材、LED灯具、LED显示器件的研发、销售；智能硬件、计算机系统集成；软硬件研发及相关产品销售；网络安全设备销售；投影系统集成及周边设备的研发和销售；新型显示技术的开发；电子产品的技术开发和产品开发；国内贸易，经营进出口业务；知识产权代理（以上法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）。^光子晶体材料的制造；光子晶体材料的相关产品的制造；光学薄膜、功能薄膜、胶粘薄膜、透明导电薄膜、高分子薄膜、新能源薄膜、电子辅料、光学模组、保护膜、护眼薄膜的生产；光学薄膜相关设备、仪器的生产；健康光源、LED发光芯片、LED发光器材、LED灯具、LED显示器件的生产；软硬件生产；投影系统周边设备的生产。在广东省，相近经营范围的公司总注册资本为112700万元，主要资本集中在5000万以上规模的企业中，共10家。本省范围内，当前企业的注册资本属于良好。
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透明导电薄膜的最近研究
目前，TCO 薄膜主要应用于平板显示器和建筑两大领域。与其他类型的导电薄膜相比，氧化物透明导电膜不仅导电性好，而且还像玻璃一样具有高的透明性，所以，可以把它看作一种用途十分广泛的特征功能薄膜。主要用途为：
1)、显示器件中的电极材料。如制作场致发光（EL）器件的电极，液晶显示器件（LCD）中的透明电极以及电致变色显示器件（ECD）中的电极等。
2)、防静电，防电磁屏蔽层。为了防止静电，必须使方阻小于109Ω。
3)、面发热体。SnO2薄膜的电热转换效率在90%以上，通电后立即产生热效应。
4)、热反射膜。SnO2和ITO薄膜在红外部分的反射率可达到80%以上。
5)、太阳能电池。（1）SIS异质结太阳能电池，（2）太阳能电池的减反射膜。
6)、薄膜电阻器。
7)、气敏传感器。现已能探测甲烷，CO、CO2、H2、H2S、乙醇等多种气体和烟尘。
8)、终端设备。用透明导电薄膜制作薄膜开关。
9)、汽车玻璃。
总之，氧化物透明导电薄膜用途十分广泛，除上面列举的一些用途外，还有一些其他的用途，如电阻照相，静电复印，光记录，磁记录，保护层等。这类材料的研制和开发日益受到人们的重视。
随着平板显示器的需求量越来越大以及对太阳能利用的需求不断增大，透明导电膜玻璃的需求将会越来越大。预计其市场在今后几年将达到近100亿元。
最近几年来国内外的研究者分别在低温制备的设备、工艺、薄膜的表面改性、多层膜系的设计和制备工艺方面进行了深入的研究。例如，Wu Wen-Fa等利用R.F磁控溅射工艺在不加热的聚碳酸酯（PC）衬底上制备了厚度为250mm，电阻率为6× ~2（Ω·cm），透过率为74%~90%；Park Sung Kyu等利用R.F磁控溅射工艺在低温聚合物PES上制备了110nmITO，方块电阻是20O/□，透过率80%，但是表面的粗糙度较大；法国的David等，利用In-Sn合金靶在100℃下沉积在聚合物上的ITO薄膜透过率为85%，电阻率为~0.003Ω·cm，表面粗糙度为15-50，美国的Daeil.KIM用直接金属离子束沉积（DMIBD）方法在70℃的条件下制备的ITO薄膜最高透过率为85%，最低电阻率为4×Ω·cm，表面质量比较高；此外还有一些研究人员利用脉冲激光沉积（PLD），电子束热蒸发和金属离子辅助溅射等方法在低温甚至在室温的条件下进行高质量塑基的薄膜制备。
国内的贾永新在150℃基板条件下制备出了透过率为80%左右ITO薄膜，但没有见电阻和表面特性的报道；近年来李育峰等利用微波等离子体辅助方法在120℃的基片上沉积的薄膜透过率大于85%，但方块电阻大于100O/□，表面特性没有报道；马瑾等在塑料衬底上在80℃-100℃的条件下制备出了透过率大于84%，电阻率~0.001量级的薄膜。
综上所述，国内在低温尤其常温下制备ITO薄膜方面研究还不够充分、不够全面；并且研究制备方法也比较单一，与国外有比较大的差距。近年来国外尤其日本和韩国分别在低温沉积技术、薄膜生长机理和薄膜表面改性方面进行了深入的研究，在保证不对薄膜衬底产生破坏的情况下，在低温甚至室温的条件下制备出了薄膜电阻率低于5×Ω·cm，透过率大于85%，表面的粗糙度小于2nm的ITO薄膜。
